氧化銦錫光電應(yīng)用納米級分散機具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的轉(zhuǎn)子之間距離。在增強的流體湍流下。凹槽在每級口可以改變方向。
氧化銦錫光電應(yīng)用納米級分散機
ITO導(dǎo)電漿料納米均質(zhì)機,ito納米均質(zhì)機,是在定、轉(zhuǎn)子狹窄的間隙中受到強烈的機械及液力剪切、離心擠壓、液層摩擦、撞擊撕裂和湍流等綜合作用,形成懸浮液(固/液)
ito ITO 是一種N型氧化物半導(dǎo)體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜,通常有兩個性能指標(biāo):電阻率和透光率作為納米銦錫金屬氧化物,具有很好的導(dǎo)電性和透明性,可以切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線。因此,銦錫氧化物通常噴涂在玻璃、塑料及電子顯示屏上,用作透明導(dǎo)電薄膜,同時減少對人體有害的電子輻射及紫外、紅外。
在氧化物導(dǎo)電膜中,以摻Sn的In2O3(ITO)膜的透過率zui高和導(dǎo)電性能*,而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形,其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In2O3與SnO2之比例來控制,通常SnO2:In2O3=1:9。因為氧化錫之厚度超過200-時,通常透明度已不夠好---雖然導(dǎo)電性能很好
對導(dǎo)電漿料的要求,第yi是分散均勻性,如果漿料分散不均,有嚴重的團聚現(xiàn)象,電池的電化學(xué)性能受到影響,如若導(dǎo)電劑分布不均勻,電極在充放電過程中,各處電導(dǎo)率不同會發(fā)生不同的電化學(xué)反應(yīng),負極處可能產(chǎn)生較復(fù)雜的 SEI膜,可逆容量減小,并伴有局部的過充過放現(xiàn)象或有可能會有鋰金屬析出,形成安全隱患;粘結(jié)劑分布不均,顆粒之間、顆粒與集流體之間粘結(jié)力出現(xiàn)過大過小的情況,過小部位電極內(nèi)阻大,甚至?xí)袅?,zui終影響整個電池容量的發(fā)揮。第二,漿料需要具有良好的沉降穩(wěn)定性和流變特性,滿足極片涂布工藝的要求,并得到厚度均一的涂層,要求電池極片眾心的厚度要和邊緣處的厚度盡量保持一致,這是導(dǎo)電漿料涂布工藝的難點。
研磨分散機是由膠體磨分散機組合而成的高科技產(chǎn)品。
一級由具有精細度遞升的三級鋸齒突起和凹槽。定子可以無限制的被調(diào)整到所需要的轉(zhuǎn)子之間距離。在增強的流體湍流下。凹槽在每級口可以改變方向。
第二級由轉(zhuǎn)定子組成。分散頭的設(shè)計也很好的滿足不同粘度的物質(zhì)以及顆粒粒徑的需要。在線式的定子和轉(zhuǎn)子(乳化頭)和批次式機器的工作頭設(shè)計的不同主要是因為在對輸送性的要求方面,特別要引起注意的是:在粗精度、中等精度、細精度和其他一些工作頭類型之間的區(qū)別不光是轉(zhuǎn)子齒的排列,還有一個很重要的區(qū)別是不同工作頭的幾何學(xué)征不一樣。狹槽寬度以及其他幾何學(xué)特征都能改變定子和轉(zhuǎn)子工作頭的不同功能。
以下為型號表供參考:
型號 | 標(biāo)準流量 L/H | 輸出轉(zhuǎn)速 rpm | 標(biāo)準線速度 m/s | 馬達功率 KW | 進口尺寸 | 出口尺寸 |
XMD2000/4 | 400 | 18000 | 44 | 4 | DN25 | DN15 |
XMD2000/5 | 1500 | 10500 | 44 | 11 | DN40 | DN32 |
XMD2000/10 | 4000 | 7200 | 44 | 22 | DN80 | DN65 |
XMD2000/20 | 10000 | 4900 | 44 | 45 | DN80 | DN65 |
XMD2000/30 | 20000 | 2850 | 44 | 90 | DN150 | DN125 |
XMD2000/50 | 60000 | 1100 | 44 | 160 | DN200 | DN150 |
氧化銦錫光電應(yīng)用納米級分散機